HBM-零帕网

AI 需求爆发驱动 HBM 快速增长，三大存储原厂引领市场。HBM 即高带宽存储器，是一种基于 3D 堆叠工艺的 DRAM 内存芯片，具有高内存带宽、低能耗、更多 I/O 数量、更小尺寸等优势。自 2013 年海力士首次制造问世以来，HBM 已迭代至第五代 HBM3E，该代际产品最大容量为 36GB，每引脚最大数据速率为 9.2Gbps，最大带宽超过每秒 1.18TB。ChatGPT 爆火 AI 大模型迎来快速发展，引爆算力需求，HBM 助力突破存储瓶颈，成为高速计算平台的最优解决方案。[Nea

AI 硬件核心是算力和存力，HBM 高带宽、低功耗优势显著，是算力性能发挥的关键。AI 芯片需要处理大量并行数据，要求高算力和大带宽，算力越强、每秒处理数据的速度越快，而带宽越大、每秒可访问的数据越多，算力强弱主要由 AI 芯片决定，带宽由存储器决定，存力是限制 AI 芯片性能的瓶颈之一。AI 芯片需要高带宽、低能耗，同时在不占用面积的情况下可以扩展容量的存储器。HBM 是 GDDR 的一种，定位在处理器片上缓存和传统 DRAM 之间，兼顾带宽和容量，较其他存储器有高带宽、低功耗、面积小的三大特

HBM 是 AI 算力核心载体。HBM 即高带宽存储器，突破了内存容量与带宽瓶颈，其通过使用先进的封装工艺（如 TSV 硅通孔技术）垂直堆叠多个 DRAM，并与 GPU 封装在一起。相较于常见的 GDDR5 内存，HBM 拥有着更高的带宽，大幅提高了数据容量和传输速率，并且相同功耗下具有超 3 倍的性能表现，和更小的芯片面积。

HBM是限制当前算力卡性能的关键因素，海力士、三星、美光正加大研发投入和资本开支，大力扩产并快速迭代HBM，预计2024年HBM3e 24GB/36GB版本将量产/发布，内存性能进一步提高。HBM供需将持续紧俏，市场规模高速增长。通过分析生产工艺（TSV、键合等）和技术演进方向（先进制程、叠层），我们认为封装测试、前道和后道先进封装的设备和材料将是HBM主要受益方向。