SiC产业深度报告:价格迎来甜蜜点,SiC应用驶入快车道
技术进步,产品迭代结构持续优化。自 Wolfpseed 在 2011 年推出业内首款 SiC MOSFET 以来,过去十年受限于 SiC 电力电子器件价格、晶圆质量、工艺技术等限制,始终没有被下游大规模广泛使用。当前在技术层面,SiC 衬底位错密度下降,SiC 功率晶体设计不断迭代,产品性能,可靠性持续提升;主流晶圆尺寸由 4 英寸向 6 英寸过渡,领先厂商已经在大力扩产 8 英寸,主流产品从 SiC 二极管转变为 SiC MOSFET。 SiC 成本下降迎来价格甜蜜点,下游应用市场快速打开。