半导体存储行业深度报告：数据量增长驱动存储升级，产业链迎国产化机遇

半导体存储将随数据量的增加向高密度、大容量方向发展。

半导体存储将随数据量的增加向高密度、大容量方向发展。半导体存储通过半导体介质贮存电荷进行信息存储。根据 WSTS 数据，22 年全球集成电路规模为 4744 亿美元，其中存储芯片规模为 1298 亿美元(占 23%)，与逻辑芯片构成集成电路的两大支柱。未来 NAND 从平面到 4D 发展；DRAM 制程不断缩小，DDR5 加速渗透；HBM 等先进封装将在 AI 服务器等高性能领域加速渗透。

存储产业：周期与成长并存。存储芯片偏标准化，资金投入随工艺节点升级而陡增，使得行业进入壁垒高企，因此行业周期性强且 CR3 超 90%。目前存储价格持续下降，需求疲软导致周期底部拉长至 3Q23 后。原厂陆续减产、削减资本开支，预计 2H23 价格降幅有望收窄，行业触底后将以低增速回暖。未来数据量增加，单位服务器 NAND 用量将增加 3 倍、DRAM 增加 2 倍；21-27 年汽车智能化的存储需求增长复合增速为 20%。

上游存储芯片：国产化进程加速。DRAM 市场 CR3 超 95%，主要应用为移动设备(36%)和服务器(19%)；NAND Flash 市场 CR6 占 98%，主要产品为固态硬盘(SSD)。目前中国存储需求占全球 30%，自给率低于 10%，长存、长鑫等国产厂商与设备商共同推动国产化进程加速。此外，利基存储市场合计超 164 亿美元，海外大厂持续退出，国产厂商崭露头角迎成长新机。

下游存储模组：企业级与行业级市场为主要增长点。SSD与嵌入式存储为NANDFlash 模组的主要形式，根据 Yole 数据，预计 22-28 年 SSD 市场总规模将从290 亿美金增至 670 亿美金，CAGR 为 15%；其中企业级与行业级 SSD 为主增长点。DRAM 模组(DIMM)主要增长来源为服务器，根据 Yole 数据，22-28 年RDIMM 出货量年复合增速达 15%，LRDIMM 和其他服务器内存模组增速为 21%。模组侧配套芯片：SSD 与 DDR5 渗透驱动行业加速成长。NAND Flash 模组主控芯片是存储器的大脑，全球 SSD 主控芯片中门槛较高的企业级 SSD 占12.4%，工业级占 3.7%，为国产厂商主要发力方向。随 DDR5 渗透，DRAM 模组在内存接口芯片基础上加入串行检测集线器、温度传感器以及电源管理芯片等配套芯片，其市场将由 21 年 7.1 亿美元增至 27 年约 40 亿美元，复合增速约为 28%。

产业链相关公司：国产化为存储产业主旋律，企业级与行业级应用为主要发力方向。相关公司包括利基存储的北京君正、兆易创新、东芯股份、普冉股份等，封测与设备环节的通富微电、中微公司、拓荆股份及雅克科技，模组环节的江波龙，模组套片或主控芯片的澜起科技等。