东微半导研究报告：高性能功率器件技术创新引领者，新品放量打开成长天花板

高性能功率器件技术创新引领者，新品放量打开成长天花板。

高性能功率器件技术创新引领者，新品放量打开成长天花板。公司重视底层器件结构创新，持续丰富产品矩阵，目前已覆盖高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅 MOSFET、超级硅 MOSFET、TGBT、SiC 器件等产品。下游应用领域包括以车载、直流充电桩、光伏逆变器、工业及通信电源为代表的工业级应用领域，以及以手机快速充电器、电源为代表的消费电子应用领域。受益新能源市场需求高增，公司营收持续快速增长，22 全年、23Q1 营收分别为 11.2 亿元、3.0 亿元，同增 43%、47%。盈利能力方面，受持续进行技术迭代、产品组合结构调整及涨价等综合因素影响，同时通过数字化手段不断提升运营效率，公司毛利率、净利率持续提升。

MOSFET：高压 MOSFET 市场快速增长，公司产品性能比肩国际龙头。伴随车载 OBC、充电桩等下游高压领域需求增长，高压 MOSFET 将迎快速增长，根据电子发烧友，2021 年全球中低压（<400V）和高压MOSFET（>400V）市场规模分别约 71 亿美元、42 亿美元，21-26 年全球中低压、高压 MOSFET 市场规模 CAGR 分别约 4%、12%。公司超级结 MOSFET 产品性能国内领先、超级硅 MOSFET 产品性能国际先进，并持续扩大高压超级结 MOSFET 在光伏逆变、储能应用、UPS 领域的业务，成功替换 IGBT 并且明显提升系统效率，出货呈现迅速增加态势，未来有望深度受益下游大客户需求高增长。

IGBT&SiC：新能源市场拉动需求增长，公司积极布局。公司独创 Trigate 结构 IGBT 器件，性能国际领先，批量进入光伏逆变及储能、车载充电机、直流充电桩等领域头部客户供应链，并在新能源汽车主驱应用领域进入认证阶段。22 年在 SiC 二极管、SiC MOSFET 及 Si2C MOSFET器件上取得较大研发进展，其中 Si2C MOSFET 进入批量生产阶段、首次实现营收，实现对采用传统技术路线的 SiC MOSFET 的替代。