先进封装技术趋势在于提高 I/O 数量及传输速率,以实现芯片间的高速互联,市场格局呈现出明显的马太效应,Fab/IDM 厂和 OSAT 错位竞争。
先进封装技术趋势在于提高 I/O 数量及传输速率,以实现芯片间的高速互联,市场格局呈现出明显的马太效应,Fab/IDM 厂和 OSAT 错位竞争。2016年先进封装市场 CR5 占比 48%,2021 年提升至 76%,强者恒强。Fab/IDM 厂和 OSAT 厂各自发挥自身优势,Fab/IDM 厂凭借前道制造优势和硅加工经验,主攻 2.5D 或 3D 封装技术,而 OSAT 厂商则聚焦于后道技术,倒装封装仍是其主要产品。封测技术主要指标为凸点间距(Bump Pitch),凸点间距越小,封装集成度越高,难度越大,台积电 3D Fabric 技术平台下的 3D SoIC、InFO、CoWoS 均居于前列,其中 3D SoIC 的凸点间距最小可达 6um,居于所有封装技术首位。