耐高温高压高频，碳化硅电气性能优异
❑ 耐高温高压高频，碳化硅电气性能优异
碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱和速率等指标具有显著优势，可满足现代工业对高功率、高电压、高频率的需求，主要被用于制作高速、高频、大功率及发光电子元器件，下游应用领域包括智能电网、新能源汽车、光伏风电、5G 通信等。
❑ 工艺难度大幅增加，长晶环节是瓶颈
碳化硅制造工艺具有高技术壁垒，衬底长晶存在条件控制严、长晶速度慢、晶型要求高三大技术难点，而加工难度大带来的低产品良率导致碳化硅成本高；外延的厚度和掺杂浓度为影响最终器件的关键参数。
❑ 下游应用场景丰富，新能源带来最大增长点
碳化硅器件下游应用领域包括电动汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、5G通信等，其中新能源汽车为最大终端应用市场。高转换效率和高功率带来整车系统成本下降，特斯拉、比亚迪、小鹏等车企相继使用 SiC MOSFET。Yole 预计2027 年全球导电型碳化硅功率器件市场规模有望达 63 亿美元，其中电动汽车下游领域占比达 80%。
❑ 碳化硅供需缺口持续扩大，海内外厂商加速研发扩产
供给端：海外龙头主导出货量，全球有效产能仍不足。全球碳化硅市场呈美国、欧洲、日本三足鼎立的格局，海外厂商已实现量产 6 英寸碳化硅衬底，计划2023 年实现 8 英寸量产；国内仍以小尺寸为主，部分实现 6 英寸量产，正加速研发缩小与国际龙头的差距，整体来看全球有效产能仍不足。需求端：下游需求不断扩大，百亿市场空间可期。据我们测算，2025 年全球碳化硅衬底市场需求达 188.4 亿元，碳化硅器件市场需求达 627.8 亿元。2025 年之前行业仍呈现供给不足的局面。
