存储芯片行业深度报告:算力拉动,拐点提前

ChatGPT 带动算力需求飙升,存算侧带动硬件全面受益。

ChatGPT 带动算力需求飙升,存算侧带动硬件全面受益。据 NVIDIA 估算,训练 GPT-3,假设单个机器的显存/内存容量足够的前提下,8 张 V100显卡训练时长预计达 36 年,1024 张 80GB A100 显卡完整训练 GPT-3 的时长为 1 个月,算力侧硬件需求全面增长。此外,大模型训练需要海量数据传输,由此将对以服务器交换机为代表的数据传输设备产生更多需求,相关高算力芯片需求量将相应增长。整体来看,ChatGPT 将从算力侧和数据传输端全面带动显卡及高算力芯片需求,进而对算力芯片、应用端、存算一体、先进封装、封装设备、IC 载板等多个领域硬件产生增量需求。

国产化存储产业链迎来布局时刻。1)AI 服务器带来存力硬件需求上行:根据美光数据测算,人工智能服务器中 DRAM 内容是普通服务器的 8 倍,NAND 内容将是普通服务器的 3 倍,而大容量存储器将是算力数据迭代运算的重要基础。2)库存边际改善,价格修复在即:美光 2023 年 Q2 会计期末库存约为 81.29 亿美金,同比下降 2.75%,有望持续改善。AI 服务器有望带动存储行业景气度及需求快速提升,加速存储行业库存进一步清出。根据 TrendForce 数据,美光及 SK 海力士在内的部分供应商已启动DRAM 减产计划,2023年第二季度 DRAM 价格跌幅将收窄至 10%到 15%。3)国产化存储产业链迎来布局时刻:国内存储产业链多元化布局,2023年有望完成产品结构快速升级。

存储行业公司市场广阔,行业近期有望触底回升。根据 IC Insight 数据,2011 年全球 DRAM 市场规模为 296 亿美金,而 2022 年全球 DRAM 市场规模将达 758 亿美金,CAGR 达 8.9%,其中 DDR4 需求疲软之下价格一路下行。根据中金企信统计数据,预计到 2025 年全球 NAND Flash 市场规模有望达到 931.9 亿美元,2021 年至 2025 年 CAGR 增速 7.4%,其中三星依旧占领较大的市场份额,但还未形成绝对的寡头地位。国内储存行业链公司有望持续发展,国产化替代空间广阔。

DRAM & NAND Flash 强周期属性,人工智能需求增长有望带动行业快速修复。DRAM 是存储器第一大产品,占比全球储存市场 53%的市场份额。当前以三星、海力士和美光三大家为主。看 DRAM 产品迭代,DDR4系当前主流,DDR5 接力入场。NAND Flash 供给端,呈现 CR6 市场规模占比约 99%,寡头市场持续集中。价格方面,我们认为主流及利基型产品价格 2022 年以来下跌跌幅将逐步趋缓。需求端,车规级储存受汽车智能化发展速度加快,AI 等高算力设备推动巨量数据存储或将有望成为新的快速增长点。

人工智能算力及数据量增长,带动存储行业技术迅速发展。1)HBM:截至 2021 年,SK 海力士和 Rambus 已发布了数据传输速率为 5.2Gbps 和8.4Gbps 的 HBM3 产品,每个堆叠将提供超过 665GB/s 和 1075GB/s 的传输速率,有望快速在 AI 服务器中替代。2)存算一体:目前存算一体大致分为近存计算(PNM)、存内处理(PIM)、存内计算(CIM)。特斯拉、阿里达摩院、三星等大厂所选择的便是近存计算(PNM),未来技术成熟度或将快速提高,突破算力存力中间壁垒。3)3D NAND 堆叠:3D NAND将成为主流方向,可突破存储容量限制瓶颈。3D NAND 将解决方案从提高制程工艺转变为多层堆叠,解决了 2D NAND 在增加容量的同时性能出现下降的问题,实现容量、速度、能效及可靠性等多方位的提升。

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