SiC 是突破性第三代半导体材料
SiC 是突破性第三代半导体材料：与前两代半导体材料相比，以 SiC 制成的器件拥有良好的耐热性、耐压性和极低的导通能量损耗，是制造高压功率器件与高功率射频器件的理想材料。SiC 下游应用包括新能源、光伏、储能、通信等领域。据 Yole 预计，全球 SiC 功率半导体市场规模将从2021年的11亿美元增长至2027年的63亿美元，CAGR 超过34%。
下游需求旺盛，产品渗透率稳步提升：新能源汽车是 SiC 器件最大的下游应用市场。SiC 器件能在缩减体积的情况下提高能量密度和工作稳定性，并支持高平台电压，有助于解决新能源车“里程焦虑”问题。据 Yole 预计，SiC 新能源领域应用市场将以40%的 CAGR 从2021年的6.9亿美元增长至2027年的50亿美元。SiC 功率器件的市场渗透率将有望在2024年突破10%,行业前景广阔且确定性强。
寡头垄断市场，产品供不应求：SiC 产业链可分为上游衬底材料、中游外延生长、器件制造以及下游应用市场。虽然我国为全球最大的新能源汽车市场，但 SiC 器件生产制造能力距国际领先水平仍有较大差距。SiC 上中游产业链多被美、日、欧等国企业垄断，外加近年来各国政府提高对新一代芯片研发制造的政策支持，使海外头部公司迅速扩张产能，快速占领市场。尽管近年来我国 SiC 企业发展迅速，但在关键技术节点上还有待突破，产品良率与性能均弱于海外竞品，短期内国产替代难度大。
