东微半导（688261）研究报告：结构创新缔造汽车工控领域功率之“芯”

深耕MOSFET十余年，延伸布局IGBT和第三代半导体器件。

深耕MOSFET十余年，延伸布局IGBT和第三代半导体器件。公司产品包括高压超级结/中低压屏蔽栅/超级硅MOSFET及TGBT，覆盖0~1350V电压及0~300A电流；下游应用聚焦在工业级和消费级领域，2016年自研的新能源汽车直流大功率充电桩用核心芯片量产，打破国际垄断；同时公司积累了全球知名的品牌客户群如英飞源、客户A、高斯宝及视源股份等。

具备从专利到量产的完整经验，高性能功率半导体设计的技术不可替代性极强。公司的高压超级结MOSFET相比普通硅基MOSFET在性能及电压等方面技术优势明显；较普通沟槽栅VDMOSFET器件，公司的中低压屏蔽栅MOSFET的导通特性与开关损耗等更优。

根据Omdia预测，2024E全球功率半导体522亿美元市场空间，充电桩、5G基站及新能源汽车赋能需求。功率半导体仍被国际巨头垄断，CR5达43%，但中国功率半导体市场稳步增长，国产替代需求助推国内厂商发展；根据前瞻产业研究院与EVTank预测，2024E中国充电桩保有量、新建5G基站数量及新能源汽车销量或达967万台/80万站/405万辆，广阔的应用市场空间持续驱动MOSFET及IGBT等功率半导体的需求。