第三代半导体行业深度报告:新能源及通讯行业创造百亿市场规模
第三代半导体可有效降低能源损耗 第三代半导体主要是指氮化镓和碳化硅、氧化锌、氧化铝、金刚石等宽禁带半导体,它们通常都具有高击穿电场、高热导率、高迁移率、高饱和电子速度、高电子密度、可承受大功率等特点。宽禁带半导体契合了电力电子、光电子和微波射频等领域的节能需求。在电力电子领域,碳化硅功率器件相比硅器件可降低 50%以上的能源损耗,减少 75%以上的设备装置,有效提升能源转换率。在光电子领域,氮化镓具有光电转换效率高、散热能力好的优势,适合制造低能耗、大功率的照明器件。在射频领域,氮化镓